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Système de Gravure Ionique Réactive (RIE) – Plasmionique FLRIE300-C

Plasma Etch | Reactive Ion Etching (RIE) System - FLRIE300-C

Cet équipement utilise la Gravure Ionique Réactive (RIE) par couplage capacitif (CCP), une technologie de gravure sèche qui emploie un plasma chimiquement réactif sous basse pression. La RIE offre des avantages significatifs, notamment une excellente directionnalité et sélectivité, et permet un contrôle précis des modifications des propriétés des matériaux. Elle peut être utilisée pour la gravure de couches minces molles et dures pour des applications de nano- et microstructuration, ainsi que pour des traitements de surface avant dépôt.

Caractéristiques techniques

  • Gaz de process : Argon, Oxygène, Tétrafluorométhane (CF4)
  • Taille maximale du substrat : 200mm de diamètre

This equipment uses Capacitive Coupled Reactive Ion Etching (RIE), a dry etching technology that employs chemically reactive plasma at low pressure. RIE offers significant advantages, including excellent directionality and selectively, and allows precise control of changes in material properties. It can be used for etching soft and hard thin films for nano- and microstructuring applications, as well as for surface treatments prior to deposition.

Key Features

  • Process Gases: Argon, Oxygen, Tétrafluorométhane (CF4)
  • Maximum Substrate Size: 200 x 200 mm

En savoir plus sur la Gravure Ionique Réactive

Pour compléter nos capacités de lithographie, ELORPrintTec dispose d’un système de Gravure Ionique Réactive (RIE). Là où les méthodes chimiques (wet etching) montrent leurs limites en termes de résolution et d’anisotropie, la gravure plasma RIE permet de sculpter la matière à l’échelle micrométrique avec une verticalité et une sélectivité extrêmes.

La puissance du plasma pour la micro-électronique

Le procédé RIE combine une action chimique (via des radicaux libres) et une action physique (bombardement ionique). Cette synergie permet d’attaquer spécifiquement certaines couches (comme le silicium, le nitrure, ou certains polymères) tout en préservant le masque de protection. C’est l’outil indispensable pour créer des vias (connexions verticales), isoler des composants sur un substrat ou structurer des surfaces, ou modifier leurs propriétés d’adhésion et de mouillabilité.

Applications stratégiques en électronique imprimée

L’usage de la RIE chez ELORPrintTec s’étend bien au-delà de la micro-électronique silicium classique :

  • Nettoyage de surface (O2 Plasma) : élimination des contaminants organiques pour améliorer l’adhésion des encres fonctionnelles.
  • Structuration de diélectriques : gravure de motifs précis dans des couches isolantes pour les circuits multicouches.
  • Micro-fluidique : création de canaux précis dans des substrats polymères.

FAQ

Plasmionique FLRIE300-C (Gravure Plasma RIE)

Comment fonctionne la gravure plasma RIE ?

Le Plasmionique FLRIE300-C est un système de Gravure Ionique Réactive (RIE). Il utilise un plasma (gaz ionisé) pour attaquer physiquement et chimiquement la surface d’un matériau afin d’y créer des motifs à l’aide de masque ou d’en modifier les propriétés d’adhésion.

Pourquoi l’utiliser en salle blanche ISO 6 ?

La gravure se fait à l’échelle nanométrique. Toute contamination masquerait localement la surface, empêchant la gravure correcte et créant des défauts critiques dans les circuits ou les structures optiques.

Quels sont les avantages / limites de cet équipement ?

Avantages : Gravure anisotrope (verticale) très précise, excellent contrôle de la profondeur de gravure, traitement de surface uniforme.

Limites : Nécessite des gaz spécifiques souvent corrosifs, vitesse de gravure plus lente que les méthodes chimiques humides (wet etching).

Sur quels substrats peut-on déposer / graver ?

Silicium, couches minces de métaux, isolants (SiO2, Si3N4) et certains polymères.